? 역대 최악의 반도체 난제, 무려 10년 전부터 삼성전자가 준비해둔 신의 소재 (2차원 소재)

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•최초 공개: 2020. 10. 19.

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삼성전자가 반도체 난제 해결을 위해 무려 10여년간 2차원 소재를 연구합니다. 물론 굉장히 다양하고 많은 연구를 했지만, 이번에 저는 다시 한번 더 그래핀과 질화붕소와 같은 2차원 소재에 포커스를 맞추려고 합니다.

 

삼성전자는 2차원 소재를 두고 말했죠. "반도체 난제 해결을 위한 핵심 열쇠"라고요. 왜 그들이 그렇게까지 말했는지 영상으로 확인하시죠^^ 감사합니다!

 

- 내용출처:

 

1. Samsung Newsroom, “삼성전자, 소재 원천기술 또 한 번 결실… 미래 반도체 앞당긴다”, 2020

2. UNIST, “더 작고 빠르게 미래 반도체 핵심 신소재 발견”, 2020

3. Seokmo Hong et al, “Ultralow-dielectric-constant amorphous boron nitride”, nature, 2020 (doi.org/10.1038/s41586-020-2375-9)

4. 삼성반도체이야기, “삼성전자, 사이언스지 통해 새로운 그래핀 소자 구조 제시”, 2012

5. Heejun Yang et al, ”Graphene Barristor, a Triode Device with a Gate-Controlled Schottky Barrier”, Science, 2012 (DOI: 10.1126/science.1217654)

6. 성균관대학교, “반도체 위에 성장한 비정질 그래핀 신기술 개발”, 2017

7. Won-Jae Joo et al, “Realization of continuous Zachariasen carbon monolayer”, Science Advances, 2018 (DOI: 10.1126/science.1220527)

8. 양윤정 “모어 무어(More Moore) 초미세 반도체 전극 개발”, UNIST, 2020

9. Seunguk Song et al, “Wafer-scale production of patterned transition metal ditelluride layers for two-dimensional metal-semiconductor contacts at the Schottky-Mott limit”, nature electronics, 2020 (doi.org/10.1038/s41928-020-0396-x)

10. UNIST 홍보팀, “원자에 정보 저장하는 메모리 반도체 개발 길 열린다”, UNIST, 2020

11. Hyun-Jae Lee et al, “Scale-free ferroelectricity induced by flat phonon bands in HfO2”, Science, 2020 (DOI: 10.1126/science.aba0067)

12. 진종문, “산화막, 전자 이동을 막는 이상적인 절연막”, SKhynix Newsroom, 2018

13. 김수민, “질화붕소 대면적 합성 기술”, 진공이야기, 2019 14. 나노구조물리 연구단, “4층짜리 단결정 그래핀 대면적 합성한다”, ibs, 2020 15. Jaewoo Kim et al, “High Purity and Yield of Boron Nitride Nanotubes Using Amorphous Boron and a Nozzle-Type Reactor”, materials, 2014 (doi: 10.3390/ma7085789) - BGM: Keys Of Moon, The Epic Hero and Flowing Energy (youtube.com/channel/UCWtFgusZT03fNCqtPBrhh9g)

 

- Chapter

0:00 반도체 난제

2:05 당면한 문제와 해결방법

3:26 2차원 소재

4:02 비정질 질화붕소 발견

6:17 Barristor

7:55 그래핀 대면적 합성

9:39 삼성전자의 방향 #삼성전자 #2차원소재 #난제

간략히